- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗設備
- 實驗室產(chǎn)品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
PECVD化學氣相沉積系統(tǒng)采用等離子體增強型化學氣相沉積技術，能夠利用高能量等離子體促進反應過程，有效提升反應速度，降低反應溫度。適用于在光學玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜質量好，針孔較少，不易龜裂，適用于制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽電池器件，可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。
PECVD化學氣相沉積系統(tǒng)技術參數(shù)：
|
產(chǎn)品名稱 |
PECVD化學氣相沉積系統(tǒng) |
|
|
產(chǎn)品型號 |
CY-PECVD-500T-SS |
|
|
供電電源 |
AC220V 50Hz |
|
|
射頻電源 |
信號頻率 |
13.56MHz |
|
功率輸出范圍 |
0~300W |
|
|
*大反射功率 |
100W |
|
|
反射功率 (在*大功率時) |
<5W |
|
|
功率穩(wěn)定性 |
±0.1% |
|
|
工作腔體 |
加熱溫度 |
RT-400℃ |
|
溫控精度 |
±1℃ |
|
|
樣品臺尺寸 |
Φ200mm |
|
|
樣品臺轉速 |
1-20rpm 可調 |
|
|
噴頭尺寸 |
Φ200mm |
|
|
距離 |
噴頭與樣品之間的距離40-100mm連續(xù)可調 |
|
|
沉積工作真空 |
0. 133- 133Pa （可根據(jù)工藝調整） |
|
|
法蘭 |
上翻蓋設計，基材易更換，并有可視窗口 |
|
|
腔體 |
不銹鋼材質, Φ500mm * 500mm |
|
|
觀察窗 |
Φ40mm |
|
|
供氣系統(tǒng) |
通道數(shù) |
定制 |
|
測量單位 |
質量流量計 |
|
|
測量范圍 |
A 通道: 0～200SCCM for H2 |
|
|
B 通道: 0～200SCCM for CH4 |
||
|
C 通道: 0～200SCCM for C2H4 |
||
|
D通道: 0～500SCCM for N2 |
||
|
E通道: 0～500SCCM for NH3 |
||
|
F通道: 0～500SCCM for Ar |
||
|
測量精度 |
±1.5%F.S |
|
|
工作壓差 |
-0.15Mpa~0.15Mpa |
|
|
連接管材質 |
304 不銹鋼 |
|
|
氣路 |
304 不銹鋼針閥 |
|
|
進氣和出氣接口規(guī)格 |
1/4" 卡套接頭 |
|
|
真空系統(tǒng) |
前級泵抽速 |
4.7L/s |
|
分子泵抽速 |
60L/s |
|
|
真空測量 |
復合真空計, 范圍10-5Pa ~ 105Pa |
|
|
真空度 |
5.0*10-3Pa |
|
|
水冷機 |
冷卻水溫度 |
≦37℃ |
|
水流速 |
10L/min |
|
|
功率 |
0.1KW |
|
|
冷卻功率 |
50W/℃ |
|
|
空壓機 |
OTS-550 |
|
|
產(chǎn)品尺寸 |
1362*736*1434 |
|
|
產(chǎn)品重量 |
280公斤 |
|
