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本設備為雙靶磁控濺射鍍膜儀，可用于金屬薄膜的制備，在電子領域、光學領域、特殊陶瓷制備等領域均有應用，也可實驗室SEM樣品制備。
雙靶磁控濺射鍍膜儀配置結構：
設備配有兩支磁控靶，兩套直流電源，可用于鍍多層導電金屬膜。同時設備具有主腔室和過渡艙兩部分，過渡艙配有磁力推桿，兩個艙室之間裝有真空閘板閥；用戶可以在主腔室進行濺射工作的同時，在過渡艙裝填樣品，并進行真空預抽，待主腔室濺射完成后即可將樣品通過磁力推桿推入主腔室的樣品臺。這樣的設計能夠減少主腔室抽放真空的次數，不僅能有效節省時間，更能保證更好的本地真空，有效提高鍍膜質量。
雙靶磁控濺射鍍膜儀技術參數：
項目
明細
產品型號
CY-MSH325G-II-DCDC-SS
供電電壓
AC220V，50Hz
整機功率
6.5KW
系統真空
≦5×10-4Pa
樣品臺
外形尺寸
φ150mm
加熱溫度
≦500℃
控溫精度
±1℃
可調轉速
≦20rpm
磁控靶槍
靶材尺寸
直徑Φ50.8mm，厚度≦3mm
冷卻模式
循環水冷
水流大小
不小于10L/Min
真空腔體
腔體尺寸
直徑φ325mm，高度500mm
腔體材質
SUU304不銹鋼
觀察窗口
直徑φ100mm
過渡腔體
150x150x150mm
開啟方式
頂開式
氣體控制
1路質量流量計用于控制Ar流量，量程為:200SCCM
真空系統
配分子泵系統1套，氣體抽速600L/S
膜厚測量
可選配石英晶體膜厚儀，分辨率0.10 ?
濺射電源
配直流電源500W*2
控制系統
CYKY自研專業級控制系統
設備尺寸
1200mm×1200mm×2000mm
設備重量
450kg
