產品名稱：四靶磁控濺射鍍膜儀帶過渡倉

四靶磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發的一款高性價比磁控濺射鍍膜設備，具有標準化、模塊化、可定制化的特點。磁控靶有1英寸2英寸3英寸4英寸可以選擇，客戶可以根據所鍍基板的大小自主選購；所配電源為500W直流電源和500W射頻電源，直流電源可用于金屬薄膜的制備，射頻電源可用于非金屬膜的制備，四個靶可以滿足多層或者多次鍍膜的需要。若客戶有其他鍍膜需要，可以定制其他射頻電源和脈沖電源，各型電源均有300W到1000W多種規格可選.

設備具有主腔室和過渡艙兩部分，過渡艙配有磁力推桿，兩個艙室之間裝有真空閘板閥；用戶可以在主腔室進行濺射工作的同時，在過渡艙裝填樣品，并進行真空預抽，待主腔室濺射完成后即可將樣品通過磁力推桿推入主腔室的樣品臺。這樣的設計能夠減少主腔室抽放真空的次數，不僅能有效節省時間，更能保證更好的本地真空，有效提高鍍膜質量
四靶磁控濺射鍍膜儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。該四靶磁控濺射鍍膜儀與同類設備相比，其不僅應用廣泛，且具有體積小便于操作的優點，是一款實驗室制備材料薄膜的理想設備高真空環境，整個蒸發過程在高真空環境中進行，確保了蒸發原子或分子直接到達基板，避免了空氣中雜質的污染，提高了薄膜的質量。高真空條件還有助于減少蒸發材料的氧化，進一步提升了薄膜的純度和性能。
技術參數:

產品名稱	四靶磁控濺射鍍膜儀(直流電源+射頻電源)
產品型號	CY-MSH500X-IIII-DCDCDCRF-SS
樣 品 臺	外形尺寸	φ150mm
	控溫精度	±1℃
	加熱范圍	室溫～900℃
	可調轉速	1-20rpm 可調
磁 控 靶 槍	濺射方向	向下濺射
	擺頭靶角度可調范圍	-45~45度，配備氣動快門
	靶材尺寸	直徑4英寸，厚度≦3mm
	絕緣電壓	>2000V
	數量	4英寸擺頭靶3個；4英寸直靶一個
	冷卻方式	水冷
真 空 腔 體	腔體類型	D型腔
	腔體尺寸	Φ500mm × 500mm
	腔體材料	304 不銹鋼
	觀察窗口	石英窗口，直徑φ100mm
	開啟方式	前門開啟
氣 體 控 制	流量控制	3路質量流量計： 量程 0～500SCCM； 量程 0～100SCCM 量程 0～20SCCM
雙極脈沖磁控濺射電源	輸入電壓 380VAC±10%，三相四線制，50-60Hz 輸出功率 0-5KW 輸出電壓 0-1000V 輸出電流 *大9A（恒功率時） 輸出頻率 1KHz -150KHz 輸出特性 恒流/恒功率/恒壓 冷卻方式 風冷 通訊方式 0-5V或0-10V模擬量RS-485 負載持續率 100% 數量 1臺
射 頻 電 源	電源功率	1000W
	功率輸出范圍	0W-1000W
	*大輸出功率	1000W
	*大反射功率	130W
	射頻頻率	13.56MHz+/-0.005%穩定性
	數量	1臺
直 流 電 源	功率	1000W
	數量	2臺
分 子 泵	分子泵抽速	1200L/S
	冷卻方式	水冷
	真空度	9.0×10??Pa
	前級泵抽氣速率	4L/S
	復合真空計	量程 10??Pa ~ 10?Pa
	數量	1套
	真空閥	電控氣動閥
過渡艙	腔體尺寸要適用于*大6英寸的晶圓 配備分子泵組： 前級泵：VRD-4，抽速1.1L/s 分子泵：日本TG60F，抽速60L/s
膜厚測量儀	數量：1套 通道數：單通道 測量精度：1? 標準傳感器石英晶體：6MHz 適用石英晶體尺寸：φ14mm
水冷機	溫度控制范圍：10～25℃ 額定制冷量：0.75kW 流量：10L/min 冷卻水：純凈水
空壓機	轉速：1380 轉/分鐘 流量：40 升/分鐘 額定排氣壓力：0.7 兆帕
控制系統	PLC + 14.3 英寸觸摸屏