- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉管式爐
- PECVD氣相沉積系統
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區域提純爐
- 微波燒結爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環境模擬試驗設備
- 實驗室產品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產品
設備配有三支磁控靶，兩套直流電源，可用于鍍多層導電金屬膜。同時設備具有主腔室和過渡艙兩部分，過渡艙配有磁力推桿，兩個艙室之間裝有真空閘板閥；用戶可以在主腔室進行濺射工作的同時，在過渡艙裝填樣品，并進行真空預抽，待主腔室濺射完成后即可將樣品通過磁力推桿推入主腔室的樣品臺。這樣的設計能夠減少主腔室抽放真空的次數，不僅能有效節省時間，更能保證更好的本地真空，有效提高鍍膜質量
三靶磁控鍍膜儀技術參數：
|
項目 |
明細 |
|
|
產品型號 |
CY-MSH325G-III-DCDCRF-SS |
|
|
供電電源 |
VAC 110, 60Hz |
|
|
樣品臺 |
位置 |
下部，帶擋板 |
|
直徑尺寸 |
φ150mm |
|
|
可調轉速 |
0-20rpm 可調 |
|
|
加熱溫度 |
RT~500oC |
|
|
真空腔體 |
腔體尺寸 |
φ325xH510mm |
|
腔體材料 |
304 不銹鋼 |
|
|
內壁處理 |
電解拋光 |
|
|
密封方式 |
氟橡膠密封 |
|
|
觀察窗口 |
φ100mm（帶擋板） |
|
|
磁控靶槍 |
數量 |
3 |
|
擺頭角度 |
可調角度 -45~45 度 |
|
|
濺射方向 |
向下濺射 |
|
|
靶材平面 |
圓形平面靶 |
|
|
靶材直徑 |
2英寸 |
|
|
靶材厚度 |
*厚3mm |
|
|
直流電源 |
數量 |
2臺 |
|
電源功率 |
0~500W |
|
|
輸出電壓 |
0～600V |
|
|
*大輸出電流 |
1A |
|
|
啟動時間 |
1~10S |
|
|
射頻電源 |
數量 |
1臺 |
|
電源功率 |
0~500W |
|
|
射頻頻率 |
13.56MHz |
|
|
匹配方式 |
自動匹配 |
|
|
反射功率 |
≦100W |
|
|
功率穩定性 |
±0.1% |
|
|
膜厚監測儀 |
通道數 |
單通道 |
|
測量精度 |
0.1 ? |
|
|
測量速度 |
100ms-1s/次，可設置測量范圍：500000?（鋁） |
|
|
標準傳感器晶體 |
6MHz |
|
|
適用晶片尺寸 |
Φ14mm |
|
|
真空系統 |
前級泵 |
雙極旋片泵，抽速1.1L/s |
|
渦輪分子泵 |
抽速600L/s 額定轉速：27000rpm 啟動時間：≦5min 冷卻方式：水冷 |
|
|
真空度 |
5x10-4Pa |
|
|
真空測量 |
復合真空計，測量范圍10-5Pa ~ 105 Pa |
|
|
過渡倉 |
腔體尺寸要適用于*大4英寸的晶圓 配備分子泵組： 前級泵：VRD-4，抽速1.1L/s 分子泵：日本TG60F，抽速60L/s |
|
|
水冷機 |
冷卻水流速 |
10L/min |
|
整機功率 |
0.1KW |
|
|
冷卻功率 |
50W/℃ |
|
|
水箱容量 |
9L |
|
|
氣體控制 |
1路質量流量計：Ar氣，范圍0-200sccm |
|
|
控制系統 |
CYKY自研專業級控制系統 |
|
