- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設(shè)備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗設(shè)備
- 實驗室產(chǎn)品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
本設(shè)備系統(tǒng)主要由濺射室、加熱旋轉(zhuǎn)基片臺、磁控靶組件，濺射電源、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)，安裝機臺等部分組成，本系統(tǒng)配有磁控靶及電源，多靶材傾斜共濺射的方式沉積薄膜，設(shè)備配置一套強磁靶，三套永磁靶，四靶磁控鍍膜儀，可用于金屬+非金屬 鈦膜、金膜、鉻膜、二氧化硅薄膜生長多層薄膜的制備，在電子領(lǐng)域、光學(xué)領(lǐng)域、有機物等領(lǐng)域均有應(yīng)用，也可實驗室SEM樣品制備。
設(shè)備配有四個磁控靶，三套直流電源和一套射頻流電源可以分別獨立控制，，靶置于底部傾斜共濺射，靶基距自動可調(diào)，磁控靶帶有靶材原位清洗功能可用于鍍多層導(dǎo)電金屬膜。同時設(shè)備配置手動磁力傳遞桿，取送1片基片裝置，這樣的設(shè)計能夠減少主腔室抽放真空的次數(shù)，不僅能有效節(jié)省時間，更能保證更好的本地真空，減少污染，方便使用有效提高鍍膜質(zhì)量。本設(shè)備水冷腔體，樣品臺可加熱至800攝氏度，旋轉(zhuǎn)功能.
技術(shù)參數(shù):
|
供電電源 |
220, 50Hz |
|
|
樣
臺 |
位置 |
上部 |
|
直徑尺寸 |
6 英寸（兼容小尺寸基片） |
|
|
樣品臺升降距離 |
90mm-130mm 電動升降 調(diào)整交接位置離子能量調(diào)節(jié)裝置1套 |
|
|
可調(diào)轉(zhuǎn)速 |
0-20rpm 可調(diào) |
|
|
加熱溫度 |
RT~800℃ 控溫精度±1℃，采用合金加熱片加熱器（24 小時連續(xù)加熱 800 小時無故障）離子能量調(diào)節(jié)裝置 1 套，改善應(yīng)力分布，有助于減少膜層開裂翹曲風(fēng)險 |
|
|
真 |
主腔體尺寸 |
D500X500 |
|
送樣室 過渡傳送樣品腔體 |
300mm*220*110mm具備自動傳送樣品功能 |
|
|
腔體材料 |
304 不銹鋼 |
|
|
烤氣和照明 |
具備內(nèi)烘烤除氣功能，具備腔外照明功能 |
|
|
內(nèi)壁處理 |
電解拋光 |
|
|
密封方式 |
氟橡膠密封 |
|
|
開門方式 |
手動鋁合金前開門 |
|
|
觀察窗口 |
φ100mm（帶擋板） |
|
|
均 |
膜厚均勻性 |
≤±5% |
|
樣品傳輸 |
手動磁力傳遞桿 |
取送1片基片 |
|
磁 槍 |
數(shù)量 |
1RF+3DC，配電動擋板，一套強磁靶，三套永磁靶 可以鍍金、鈦、鉻、二氧化硅以及其他任何金屬和非金屬膜層 強磁靶：1套，尺寸3英寸75mm（用于濺射磁性材料薄膜，靶材厚度2mm 范圍內(nèi)），直流 永磁靶1套，尺寸3英寸75mm； 直流 永磁靶1套, 尺寸3英寸75mm 直流 射頻靶1套 尺寸3英寸75mm 射頻
|
|
擺頭角度 |
可調(diào)角度-45~45 度 |
|
|
濺射方向 |
向上濺射 |
|
|
靶材平面 |
圓形平面靶 |
|
|
靶材直徑 |
3英寸 |
|
|
靶材厚度 |
*厚3mm |
|
|
直 |
數(shù)量 |
3臺 |
|
電源功率 |
500W |
|
|
輸出電壓 |
0～800V |
|
|
模式 |
電源可支持恒流、恒壓、恒功率三種模式 |
|
|
直流電源工作壓力范圍 |
0-100pa |
|
|
*大輸出電流 |
1A大于0.75A |
|
|
連續(xù)工作時間 |
≥24 小時 |
|
|
啟動時間 |
1~10S |
|
|
射 |
數(shù)量 |
1臺 600W |
|
功率 |
輸出功率：600W |
|
|
陽極層離子源 |
數(shù)量 |
1臺 |
|
功率 |
對基片進行清洗，1套，配套擋板組件，*大離子能量≥700eV； |
|
|
膜 |
通道數(shù) |
單通道 |
|
測量精度 |
0.1 ? |
|
|
測量速度 |
100ms-1s/次，可設(shè)置測量范圍：500000?（鋁） |
|
|
標(biāo)準傳感器晶體 |
6MHz |
|
|
適用晶片尺寸 |
Φ14mm |
|
|
真 |
前級泵 |
雙極旋片泵*2套 1 套旋片真空泵抽速≥13L/S，1 套旋片真空泵抽速≥8L/S；
|
|
渦輪分子泵 |
數(shù)量：2 1 套濺射室分子泵抽速2000L/s 1 套進樣室分子泵抽速600L/s 額定轉(zhuǎn)速：27000rpm 啟動時間：≦5min 冷卻方式：水冷 進氣接口：ISO150 出氣接口：KF40 |
|
|
真空度 |
濺射室：≤8.0x10-6Pa(經(jīng)烘烤除氣后)； 進樣室：≤6.6x10-4Pa(經(jīng)烘烤除氣后)； 從大氣開始抽氣：濺射室30分鐘可達到6.6x10-4Pa |
|
|
保壓性能 |
系統(tǒng)停泵關(guān)機12小時后真空度：≤5Pa |
|
|
真空測量 |
復(fù)合真空計，測量范圍10-5Pa ~ 105 Pa 濺射室：1x105Pa-1x10-7Pa，進樣室：1x105Pa-1x10-5Pa，工藝薄膜規(guī) 13.3pa；
|
|
|
水 |
冷卻水流速 |
CW500010L/min |
|
整機功率 |
冷卻水循環(huán)機制冷量 6.2KW |
|
|
冷卻功率 |
50W/℃ |
|
|
水箱容量 |
9L |
|
|
氣體控制 |
4路質(zhì)量流量控制器： 氬氣：0-200SCCM（準確度：±1.5%F.S）， 氮氣：0-100SCCM（準確度：±1.5%F.S）， 氧氣：0-100SCCM（準確度：±1.5%F.S）， 甲烷氣：0-200SCCM（準確度：±1.5%F.S）， 配有混氣罐可以實現(xiàn)自動氣體攪拌裝置 1 套；
|
|
|
空壓系統(tǒng) |
≥140L/min 1套 |
|
|
控制系統(tǒng) |
由工控機和PLC實現(xiàn)對整個系統(tǒng)的控制， 有自動和手動控制兩種功能， 操作過程全部在觸摸屏上實現(xiàn)， 提供配方設(shè)置、真空系統(tǒng)、磁控系統(tǒng)、工藝系統(tǒng)、充氣系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)等人機操作界面； 在工控機上可通過配方式參數(shù)設(shè)置方式實現(xiàn)對程序工藝過程和設(shè)備參數(shù)的設(shè)置PLC自動控制 10.5英寸觸摸屏 自動鍍膜程序： 具備長膜程序設(shè)置，程序設(shè)置數(shù)量>10個 具各工藝記錄長膜過程參數(shù)功能 |
|
|
其他 |
配備工具箱1套，空氣壓縮機排氣量≥140L/min，數(shù)量≥1套；冷卻水循環(huán)機制冷 量≥6.2KW，數(shù)量≥1套。100*100mm 樣品托≥10 件，其中≥5件盲托并配陣列螺釘孔，≥5件掩膜托。外置氣體質(zhì)量流量控制器≥2套，Air介質(zhì)(內(nèi)置氣體可切換≥98種)，量程范圍≥0～200sccm，質(zhì)量流量精度≤±0.6%讀數(shù)或±0.1%滿量程(取*大值)，可現(xiàn)場編輯混合氣體≥5種，顯示屏同時顯示質(zhì)量流量、體積流量、壓力、溫度等。外置氣體質(zhì)量流量控制器≥1套，帶流量顯示儀，量程范圍≥0～200sccm，準確度：≤± 1.5%F.S。 |
|
|
閥門 |
電控氣動閘板閥 電控氣動切斷閥 電控氣動旁抽閥 |
|
|
尺寸 |
1700mm*1000mm*1750mm |
|
