產品分類
- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉管式爐
- PECVD氣相沉積系統
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區域提純爐
- 微波燒結爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環境模擬試驗設備
- 實驗室產品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產品
文章詳情
PECVD系統性能指標的說明
日期：2025-11-30 13:44
瀏覽次數：1813
摘要：
PECVD系統薄膜制備設備，適合于半導體、集成電路、光電科學、電子信息、納米技術等領域研究，可以在各種尺寸和形狀的基底上沉積可以多種薄膜。
PECVD系統性能指標：
1、PECVD是前段預熱雙溫區滑軌結構，集真空系統、供氣流量系統、射頻源、自動推進、加熱于一體，并將所有控制集成于觸屏操控界面之中。
2、PECVD電源范圍：0~500 W可調，溫度范圍：100~1200 ℃可調，濺射區域長度：2000 mm。
3、適用范圍：金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復合薄膜，連續生長各種薄膜等。
4、雙溫區滑軌爐：帶有預熱爐，*高溫度為1100 ℃；
5、等離子射頻發生器：輸出功率5~500 W可調；射頻電源頻率13.56 MHz；冷卻方式為空氣冷卻；輸入電源:208~240 VAC，50/60 Hz；
