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PECVD系統性能指標的說明
日期：2026-03-08 04:03
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摘要：
PECVD系統薄膜制備設備，適合于半導體、集成電路、光電科學、電子信息、納米技術等領域研究，可以在各種尺寸和形狀的基底上沉積可以多種薄膜。
PECVD系統性能指標：
1、PECVD是前段預熱雙溫區(qū)滑軌結構，集真空系統、供氣流量系統、射頻源、自動推進、加熱于一體，并將所有控制集成于觸屏操控界面之中。
2、PECVD電源范圍：0~500 W可調，溫度范圍：100~1200 ℃可調，濺射區(qū)域長度：2000 mm。
3、適用范圍：金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復合薄膜，連續(xù)生長各種薄膜等。
4、雙溫區(qū)滑軌爐：帶有預熱爐，*高溫度為1100 ℃；
5、等離子射頻發(fā)生器：輸出功率5~500 W可調；射頻電源頻率13.56 MHz；冷卻方式為空氣冷卻；輸入電源:208~240 VAC，50/60 Hz；
