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        產(chǎn)品詳情
        • 產(chǎn)品名稱:鹵素?zé)鬜TP退火爐

        • 產(chǎn)品型號:CY-RTP1000-T12-L
        • 產(chǎn)品廠商:成越科儀
        • 產(chǎn)品文檔:
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        簡單介紹:
        鹵素?zé)鬜TP退火爐是一款12寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術(shù),可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測量,不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償,溫度控制**,溫度重復(fù)性高,客戶包括國際上許多半導(dǎo)體公司及知名科研團(tuán)隊(duì),是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇
        詳情介紹:

        鹵素?zé)鬜TP退火爐是一款12寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術(shù),可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測量,不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償,溫度控制**,溫度重復(fù)性高,客戶包括國際上許多半導(dǎo)體公司及知名科研團(tuán)隊(duì),是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇.


        鹵素?zé)鬜TP退火爐技術(shù)特色:

         ? 真正的基片溫度測量,無需傳統(tǒng)的溫度補(bǔ)償

        ? 紅外鹵素管燈加熱

        ? 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性

        ? 快速數(shù)字PID溫度控制

        ? 不銹鋼冷壁真空腔室

        ? 系統(tǒng)穩(wěn)定性好

        ? 結(jié)構(gòu)緊湊,小型桌面系統(tǒng)

        ? 帶觸摸屏的PC控制

        ? 兼容常壓和真空環(huán)境,真空度標(biāo)準(zhǔn)值為5×10-3Torr,采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr

        ? *高3路氣體(MFC控制)

        ? 沒有交叉污染,沒有金屬污染

        真實(shí)基底溫度測量技術(shù)介紹:



        如上圖,由陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達(dá)樣品表面,樣品被加熱,傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進(jìn)行測量基片溫度,由于熱電偶與基片有一定距離,測量的不是基片真實(shí)的溫度,必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

         

          鹵素?zé)?/span>RTP退火爐采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進(jìn)行測溫,如上圖,接觸測溫儀與片狀Real T/C KIT相連,工作時片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置,陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達(dá)樣品表面,樣品被加熱,片狀Real T/C KIT同時被加熱,由于基片與Real T/C KIT很近,它們之間也會進(jìn)行熱量傳遞,并很快達(dá)到熱平衡,所以片狀Real T/C KIT測量的溫度就無限接近基片真實(shí)的溫度,從而實(shí)現(xiàn)基片溫度的真實(shí)測量。

        技術(shù)參數(shù):

        產(chǎn)品名稱

        RTP快速退火爐【柜式】

        產(chǎn)品型號

        CY-RTP1000-T12-L

        腔體尺寸

        12英寸

        基片尺寸

        12英寸

        升溫速率

        A型為標(biāo)準(zhǔn)配置:≤100/S,供電要求:AC220V/50Hz/60Hz,功率50KW

        降溫速率

        10°C50°C /s

        控溫模式

        可預(yù)設(shè)曲線,按流程控溫

        控溫精度

        ±1

        工作溫度

        1000

        測溫位置

        測溫點(diǎn)置于樣品處

        密封法蘭

        水冷式

        工作真空

        6.7×10-5Pa105Pa均可

        可通氣氛

        可通:氮?dú)猓瑲鍤?,氧氣等非危險、非腐蝕氣體;如需計量需選配相應(yīng)的MFC,需要額外計價。

        氣體質(zhì)量流量計CY-S48

        真空測量

        標(biāo)準(zhǔn)配置:復(fù)合真空計,量程10-5Pa105Pa

        真空系統(tǒng)

        標(biāo)準(zhǔn)配置:VRD4+600L/S分子泵組。

        真空泵CY-4C

        供電要求

        要求配備32A2P空氣開關(guān),電源電壓AC220V/50Hz/60Hz

        水冷機(jī)組

        水箱容量40L,zui大揚(yáng)程44m

        整機(jī)尺寸

        620mm*650mm*870mm

        包裝尺寸

        780mm*950mm*1000mm

        包裝重量

        230KG

        隨機(jī)配件

        1、說明書1

        2、隨機(jī)配件1

        3、配件清單1


        基片類型:

        ? Silicon wafers硅片

        ? Compound semiconductor wafers化合物半導(dǎo)體基片

        ? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LEDGaN/藍(lán)寶石基片

        ? Silicon carbide wafers碳化硅基片

        ? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片

        ? Glass substrates玻璃基片

        ? Metals金屬

        ? Polymers聚合物

        ? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座

        鹵素?zé)鬜TP退火爐應(yīng)用領(lǐng)域:

        離子注入/接觸退火,快速熱處理(RTP),快速退火(RTA),快速熱氧化(RTO),快速熱氮化(RTN),可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同環(huán)境下使用,SiAu, SiAl, SiMo合金化,低介電材料,晶體化,致密化,太陽能電池片鍵合等



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