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該電子束蒸發方式鍍膜儀，主要用于制備各種導電薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、光學薄膜，微納器件微加工，電鏡樣品預處理等，尤其適用蒸鍍各種難熔金屬材料。不僅可用于玻璃片、硅片等硬質襯底，也可用用于PDMS、PTFE、PI等柔性襯底上鍍膜。
電子束蒸發鍍膜儀設備技術參數
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使用條件 |
環境溫度 |
5℃～40℃ |
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電源 |
380V |
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功率 |
≤20KW |
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水壓 |
≤2.5bar |
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真空室尺寸 |
蒸發室尺寸 |
φ500×H500(㎜) |
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過渡倉庫 |
φ280×H300(㎜) |
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電子槍 |
新型電子槍1套，6穴坩堝 |
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離子源 |
考夫曼離子源K08一套 |
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樣品轉盤 |
樣品尺寸：≤φ150mm，樣品可旋轉，也可上下升降調節樣品到電子槍距離(樣品托形狀按用戶要求設計),加熱溫度≤500℃ |
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系統真空度 |
極限真空 |
經12～24小時烘烤，連續抽氣≤5x10-5Pa |
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抽氣速率 |
從大氣開始40分鐘內真空度≤5x10-4Pa |
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系統漏率 |
整機漏率≤1×10-8Pa.L/s 停泵關機12小時后，測量真空室真空度≤10Pa |
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抽真空系統 |
TY1200分子泵+機械泵(VRD-30)系統，并設置旁路抽氣 |
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鍍膜監測 |
采用TM160膜厚儀進行監測 |
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鍍膜厚度的不均勻度 |
≤3% |
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