- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉管式爐
- PECVD氣相沉積系統
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區域提純爐
- 微波燒結爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環境模擬試驗設備
- 實驗室產品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產品
CY- MIOP500 為高真空多弧離子鍍膜儀，利用電弧放電將導電材料離子化，利用其繞射性好的優勢，產生高能離子并沉積在基底上（特別是泡沫鎳等多孔基底），制備納米級薄膜鍍層或納米顆粒。主要由鍍膜室、多弧靶、多弧電源、脈沖偏壓電源、樣品臺、加熱、真空系統、氣路系統、PLC+觸摸屏半自動控制系統等組成；該設備主機與控制一體化設計，操控方便；結構緊湊，占地面積小。該系列設備廣泛應用于高校、科研院所的教學、科研實驗以及生產型企業前期探索性實驗及開發新產品等，深受廣大用戶好評。
高真空多弧離子鍍膜儀主要用途:
制備多元非晶合金,制備金屬化合物，如氧化物和氮化物薄膜（氧氣或氮氣氛圍）,制備納米顆粒催化劑膜,用熱電材料靶材制備熱電效應薄膜。
高真空多弧離子鍍膜儀技術參數：
|
1.真空腔室 |
Ф500×H420mm，304 上等不銹鋼，前開門結構； 腔室加熱溫度：室溫～350±1℃； |
|
2.真空系統 |
復合分子泵+直聯旋片泵+高真空閥門組合的高真空系統，數顯復合真空計； |
|
|
優于 6.0×10-5Pa（空載，經烘烤除氣后）； |
|
4.漏率 |
設備升壓率≤0.8Pa/h； 設備保壓：停泵 12 小時候后，真空≤10Pa； |
|
5.抽速 |
(空載）從大氣抽至 5.0×10-3Pa≤15min； |
|
6.基片臺尺寸 |
Φ150mm，自轉工位 3 個； |
|
7.基片臺旋轉 |
基片旋轉：0～20 轉/分鐘； |
|
8.濺射靶 |
DN100 新型磁過濾多弧靶 2 套 |
|
9.脈沖偏壓電源 |
-1000V，1 套； |
|
11.控制方式 |
PLC+觸摸屏人機界面半自動控制系統； |
|
12.報警及保護 |
對泵、電極等缺水、過流過壓、斷路等異常情況進行報警并執行相應保護措施；完善 的邏輯程序互鎖保護系統； |
|
13.占地 |
(主機）L1900×W800×H1900(mm)。 |
