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        產(chǎn)品列表
        • 電子束蒸發(fā)鍍膜 該設(shè)備以電子束蒸發(fā)方式鍍膜設(shè)備,主要用于制備各種導(dǎo)電薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、光學(xué)薄膜,微納器件微加工,電鏡樣品預(yù)處理...
        • 小型粉末PVD包覆系統(tǒng) 小型粉末PVD包覆系統(tǒng)是一款小型粉末包覆系統(tǒng),主要有2英寸磁控濺射頭和振動(dòng)樣品臺(tái)組成。小型粉末PVD包覆系統(tǒng)粉末在振動(dòng)樣...
        • 激光鍍膜設(shè)備 激光鍍膜設(shè)備系統(tǒng)由真空腔室(主濺射室、進(jìn)樣室)、樣品傳遞機(jī)構(gòu)、樣品架、旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)、真空排氣、真空測量、電器控制、配氣、計(jì)算...
        • 電子束蒸發(fā)鍍膜儀 電子束蒸發(fā)鍍膜儀系統(tǒng)主要由蒸發(fā)真空室、E型電子槍、熱蒸發(fā)電極、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測量、電控系統(tǒng)及安...
        • ALD原子層沉積系統(tǒng) 原子層沉積(ALD)系統(tǒng)是一種用于在基板表面沉積超薄膜的精密設(shè)備,具有原子級(jí)別的厚度控制能力。ALD系統(tǒng)通常用于半導(dǎo)體制...
        • ALD原子層沉積系統(tǒng) 原子層沉積(ALD)系統(tǒng)是一種用于在基板表面沉積超薄膜的精密設(shè)備,具有原子級(jí)別的厚度控制能力。ALD系統(tǒng)通常用于半導(dǎo)體制...
        • 派瑞林真空氣相沉積 派瑞林真空氣相沉積是一種專業(yè)的產(chǎn)品,用于在材料表面上制備薄膜。它采用了在真空環(huán)境中使用氣相化學(xué)反應(yīng)來沉積薄膜的先進(jìn)過程。...
        • 迷你石墨烯CVD設(shè)備 迷你石墨烯CVD設(shè)備專為石墨烯生產(chǎn)設(shè)計(jì)配有高精度質(zhì)量流量計(jì)以及薄膜真空規(guī)。迷你石墨烯CVD設(shè)備同時(shí)設(shè)備配有可燃?xì)怏w檢測裝...
        • 1200℃高真空迷你C... 1200℃高真空迷你CVD設(shè)備核心是一款迷你管式爐,采用電阻絲加熱。1200℃高真空迷你CVD設(shè)備包含一臺(tái)三路浮子流量計(jì)...
        • 晶圓級(jí)大尺寸二硫化鉬制... 晶圓級(jí)大尺寸二硫化鉬制備CVD設(shè)備包括三溫區(qū)管式爐,特殊設(shè)計(jì)的爐管及配套氣路一組,晶圓級(jí)大尺寸二硫化鉬制備CVD設(shè)備通過...
        • R-PECVD?真空旋... R-PECVD真空旋轉(zhuǎn)等離子增強(qiáng)CVD設(shè)備由旋轉(zhuǎn)及傾斜機(jī)構(gòu)、單溫區(qū)管式爐、等離子發(fā)生機(jī)構(gòu)、質(zhì)量流量計(jì)供氣系統(tǒng)、高真空分子...
        • 雙溫區(qū)CVD系統(tǒng) 雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)由1200℃雙溫區(qū)管式爐、雙通道質(zhì)量流量計(jì)和低噪音雙極旋片真空泵組成。雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)管式爐的兩個(gè)溫區(qū)分...
        • 1500℃單溫區(qū)3路質(zhì)... 1500℃單溫區(qū)3路質(zhì)量流量計(jì)高真空CVD系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計(jì)和高真空分子泵組組成。管式爐由精密...
        • 1500℃單溫區(qū)3路質(zhì)... 1500℃單溫區(qū)3路質(zhì)量供氣低真空CVD系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計(jì)和雙極旋片真空泵組成。管式爐由精密控...
        • 1500℃單溫區(qū)3路浮... 1500℃單溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計(jì)和高真空分子泵組組成。管式爐由精密控...
        • 1500℃單溫區(qū)3路浮... 1500℃單溫區(qū)3路浮子供氣低真空CVD系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計(jì)和雙極旋片真空泵組成。管式爐由精密控...
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